摘要：dIT/dt是衡量可控硅可靠性的一個重要參數，過高的dIT/dt可能會導致可控硅損壞或失效，故設計一個能準確測量此參數的低成本線路顯得尤為關鍵。本文設計了一個簡潔的測量可控硅dIT/dt的測試電路，并介紹了它的測試原理與測試方法，且測量了市場上的BTA208-600B，得出了測試結果，與該產品說明書的值一致。可應用于研發(fā)可控硅的企事業(yè)單位和研究所測試可控硅。
引言
可控硅在白色家電的應用廣泛，而dIT/dt是衡量可控硅可靠性的一個重要的動態(tài)參數，它的重要性等同于可控硅的dIcom/dt和dVD/dt，它是可控硅導通電流的變化率，過快的電流變化率會使得可控硅局部產生很大的熱量，可能會導致可控硅的永久性失效。故設計一款測試該參數的測試電路顯得尤為重要，且符合低成本。本測試電路操作簡單，測量準確，可用于可控硅的dIT/dt參數測量與測試，該測試電路可測試單向可控硅，雙向可控硅，AC可控硅。
測試原理與測試線路設計
該測試線路是在傳統(tǒng)的相位控制電路的基礎上增加了兩個配置，利用該線路當可控硅的控制端觸發(fā)導通時可產生一個高的上升和下降斜率的電流波通過可控硅的T1和T2，從而可以測量電流的變化率，當可控硅的電特性(靜態(tài)參數)發(fā)生變化時說明該器件已經受損，此前測量的dIT/dt值即為該可控硅能承受的最大導通電流變化率。
測試電路原理圖見圖1，一個配置是隔離變壓器，可用來產生一個39V左右的交流電壓來控制可控硅的觸發(fā)導通，同時我們可以通過上下兩個單刀雙擲開關來改變控制端的電壓極性，從而可用來測量可控硅的四個導通象限：1+，1-，3+，3-。220k的可調電阻R2用來控制導通的相位角，我們可以設置這個可調電阻使得在交流電的尖峰點觸發(fā)使得可控硅導通，這樣可以得到一個高的dIT/dt。
另一種配置是220歐姆的可調電阻R6與12歐姆R5和0.1μF的電容C2構成的阻尼電路，調整該電阻可改變流經可控硅的電流的變化率，即dIT/dt，當我們需要加一個50A/μs的電流在可控硅上時，我們需要調高電阻值，而當我們加一個大于100A/μs的電流在可控硅上，我們就需要使該變阻器的阻值變得很小，這樣可以得到高的dIT/dt。
需要說明的是，該測試電路中的燈泡，從40W到1000W的范圍可選，通常我們可以使用市場上常有的40W的燈泡。
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