在N區(qū)兩側擴散兩個P+區(qū)，形成兩個PN結。兩個P+區(qū)相連，引出柵極g。N體的上下兩端分別引出漏極d和源極s。
導電原理：
(1)VGS=0時，N型棒體導電溝道最寬(N型區(qū))。有了VDS后，溝道中的電流最大。
(2)VGS<0時，耗盡層加寬(主要向溝道一測加寬)，并向溝道中間延伸，溝道變窄。
當VGS
加上負VGS電壓和VDS電壓以后，VGD的負壓比VGS大，所以，二個反偏PN結的空間電荷區(qū)變得上寬下窄，使溝道形成楔形。
JFET通過VGS改變半導體內(nèi)耗盡層厚度(溝道的截面積)控制iD，稱為體內(nèi)場效應器件;MOSFET主要通過改變襯底表層溝道的厚度來控制iD，稱為表面場效應器件。
JFET的伏安特性(以N溝道JFET為例)：伏安特性曲線和電流方程與耗盡型MOSFET相似。但VGS必定要反向偏置。
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